PCIe 5.0 und QLC-NAND: Kioxia präsentiert die Exceria-G3-Serie - Hardwareluxx
… Technisch basiert die Exceria G3 auf dem BiCS FLASH QLC 3D-NAND der achten Generation. …
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… Technisch basiert die Exceria G3 auf dem BiCS FLASH QLC 3D-NAND der achten Generation. …
NEWS YMTC NAND Micron Sandisk Kioxia Samsung Sk-hynix Mehr als Micron und Sandisk YMTC nun drittgrößter NAND-Hersteller Von Andreas Schilling Donnerstag, 13.08.2026 um 09:11 Uhr YMTC nun drittgrößter NAND-Hersteller 5 China holt am Halbleitermarkt auf. …
… Nach M11, M12 und M15 soll hier ein weiteres, riesiges NAND-Werk mit einer Fläche von 680.000 m² entstehen. Der Bau soll im Februar 2027 starten, ab Dezember 2028 sollen dann die ersten NAND-Chips vom Band rollen. Quellen und weitere Links SK-hynix HWLPro NAND DRAM
… Cheongju wurde für die neue NAND-Flash-Fabrik gewählt, weil dort am schnellsten gebaut werden kann. …
… Als NAND zum Einsatz kommt der V-NAND der 9. Generation – ebenfalls von Samsung. Bei diesem V-NAND kommt der Speicher auf etwa 280 Schichten und eine entsprechende Speicherdichte. …
… Quellen und weitere Links via Intel DRAM NAND HBM Speicher Speicherchips XBM
… Auch der verwendete NAND wird von Samsung nur als V-NAND bezeichnet. Beschriftet ist er mit 543, SEC, FCKD, K9XVGY8J5D. Das V an der vierten Stelle verrät uns, dass es sich hierbei um 4-Bit-QLC-NAND von Samsung handelt. …
… Die Aufschrift auf dem NAND ist T87HGB5A2V, OLILIH, 4227049 und deutet somit auf einen Micron 3D-NAND, TLC, mit 218 Layern hin. Hierbei handelt es sich also um aktuellen und schnellen NAND, wie unsere Ergebnisse auch zeigen werden. …
… Auch NAND-Flash wird zunehmend von der KI-Welle erfasst. …
… NAND-Flash soll sich um 10 bis 15 % verteuern. …